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  半導(dǎo)體材料制備人員
有感知反應(yīng)的智能材料
    20世紀(jì)90年代初，在美國(guó)弗吉尼亞理工學(xué)院和弗吉尼亞州立大學(xué)掛出了一個(gè)“智能材料研究中心”的牌子．科學(xué)家們正在研究各種辦法，試圖使飛機(jī)上的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)具有自己的“神經(jīng)系統(tǒng)”、“肌肉”和……
神通廣大的液晶
    液晶問(wèn)世較早。1888年，奧地利科學(xué)家F.•賴尼策爾就發(fā)現(xiàn)了這種奇特的物質(zhì)。……
化學(xué)機(jī)械拋光中的硅片夾持技術(shù)
    集成電路（IC）制造是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心，是推動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)信息化發(fā)展最主要的高新技術(shù)之一。發(fā)達(dá)國(guó)家國(guó)民經(jīng)濟(jì)總產(chǎn)值增長(zhǎng)部分的65%與IC工業(yè)相關(guān)，而全球90%以上的IC都要采用硅……
米CMOS器件中超淺結(jié)離子摻雜新技術(shù)
    近幾年來(lái)，IC芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、測(cè)試和封裝技術(shù)都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)都在配套發(fā)展。“中國(guó)芯”與“外國(guó)芯”制造水平的差距正在縮短。盡管芯片特征尺寸0.25~0.1……
重?fù)焦枰r底材料中氧沉淀研究進(jìn)展
    器件性能的提高，需要器件工藝的改善，另外還要有基礎(chǔ)材料質(zhì)量的保證。材料的發(fā)展更能促進(jìn)器件發(fā)展的飛躍,而材料的性能又取決于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體硅材料以豐富的資源、優(yōu)質(zhì)的特性、日臻完善的……
半導(dǎo)體硅片金屬微觀污染機(jī)理研究進(jìn)展
    隨著ULSI技術(shù)的不斷向前發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體硅的表面性質(zhì)要求也越來(lái)越嚴(yán)格。而且電路的集成度日益提高，單元圖形的尺寸日益微化，污染物對(duì)器件的影響也愈加突出，以至于潔凈表面的制備已成為制作……
對(duì)拋光片清洗技術(shù)的研究
    目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中，普遍采用的清洗工藝是改進(jìn)的RCA清洗技術(shù)，多年來(lái)，人們對(duì)RCA清洗技術(shù)的清洗效果進(jìn)行了深入的研究，kern證明RCA工藝可在硅片的表面形成1～1.5nm的氧……
ULSI多層銅布線鉭阻擋層及其CMP拋光液的優(yōu)化
    由于鋁自身的性質(zhì)，導(dǎo)致傳統(tǒng)的鋁布線工藝制作的器件經(jīng)常會(huì)因鋁的電遷移而失效，隨著ULSI特征尺寸的進(jìn)一步減小，布線層數(shù)增加、寬度也隨之變細(xì)，這個(gè)問(wèn)題也變得更加突出。而銅的多層布線恰恰……
微制造光刻工藝中光刻膠性能的比較
    光刻加工工藝中為了圖形轉(zhuǎn)移，輻照必須作用在光刻膠上，通過(guò)改變光刻膠材料的性質(zhì)，使得在完成光刻工藝后，光刻版圖形被復(fù)制在圓片的表面[1]。而加工前，如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定……
硅片翹曲對(duì)光刻條寬均勻性的分析
    在集成電路制造中，光刻質(zhì)量的好壞是影響產(chǎn)品成品率的主要因素之一，條寬均勻性是衡量光刻質(zhì)量的兩大指標(biāo)之一。隨著集成電路特征尺寸的縮小，步進(jìn)光刻機(jī)在生產(chǎn)中得到了普遍的應(yīng)用，硅片的翹曲對(duì)……
GaN薄膜生長(zhǎng)實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
    由于氮化鎵（GaN）材料在光電子及微電子領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景，GaN基材料成為近年來(lái)世界各國(guó)競(jìng)相研究和開(kāi)發(fā)的新一代寬帶隙半導(dǎo)體材料。但由于缺乏大尺寸的GaN基體材料，所以只能在其他……
n型高阻硅單晶電阻率均勻性的控制
    高阻n型〈111〉硅單晶被廣泛用在功率器件方面。近年來(lái)許多功率器件廠家為提高成品率，對(duì)硅單晶的電阻率徑向均勻性提出了更為嚴(yán)格的要求。普遍要求n型〈111〉Φ100mm硅單晶片的電阻……
半導(dǎo)體晶圓制造中的設(shè)備效率和設(shè)備能力
    半導(dǎo)體工業(yè)極大依賴于半導(dǎo)體制造設(shè)備的投資，而且是同步增長(zhǎng)的。隨著設(shè)備的硅片尺寸大直徑化、設(shè)備的高精度化、自動(dòng)化，設(shè)備價(jià)格日益昂貴化，工藝線的設(shè)備總投資更是成倍地增長(zhǎng)。對(duì)工藝線來(lái)說(shuō)，……
納米晶存儲(chǔ)特性的研究
    在室溫下工作的Si納米晶MOSFET存儲(chǔ)器件有體積小、低能耗、高劑量、快速擦寫(xiě)和可多次循環(huán)使用的特點(diǎn)，在未來(lái)的超大規(guī)模集成電路中有著重要的應(yīng)用前景。這種存儲(chǔ)器件可在約3V的低壓下工……
鈷鎳與多晶鍺硅的固相反應(yīng)和肖特基接觸特性
    近年來(lái)，多晶鍺硅(poly-Si1-xGex)及其器件的研究引起了較多關(guān)注。在集成電路某些應(yīng)用中，它有可能是比多晶硅更好的選擇[1-7]。高摻雜poly-Si1-xGex具有可變的……
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