1引言

　　由于氮化鎵（GaN）材料在光電子及微電子領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景，GaN基材料成為近年來世界各國競相研究和開發(fā)的新一代寬帶隙半導體材料。但由于缺乏大尺寸的GaN基體材料，所以只能在其他襯底上進行異質(zhì)外延生長。在各種生長技術(shù)中，金屬有機化學汽相沉積(MOCVD)已經(jīng)成為使用最多，生長材料和器件質(zhì)量最高的方法。

　　在GaN薄膜的生長過程中，襯底溫度，微波功率，生長時間，氣體流量等各個生長參數(shù)對最后形成的單晶薄膜的晶體質(zhì)量都有很大影響。在以往的試驗中，一般均靠手工完成所有的工藝操作，不但試驗任務(wù)繁重，而且手工操作不可避免地帶來人為誤差，導致試驗結(jié)果難以重復，而GaN薄膜的生長試驗要求得到最佳的生長工藝，這就必須保證工藝過程的良好重復性，因此采用一套自動監(jiān)控系統(tǒng)，來對整個生長工藝過程進行實時監(jiān)控，這樣通過電腦不但可以控制生長的進行同時對整個過程進行記錄，大大降低了試驗人員的勞動強度，提高了操作和監(jiān)控的自動化水平。但是，如果從國外引進一套符合要求的MOCVD生長自動監(jiān)測與控制系統(tǒng)成本很高。因此我們在分析試驗工藝流程特點的基礎(chǔ)上，借鑒了類似設(shè)備的自動控制裝置，在WIN98環(huán)境下用VB6.0設(shè)計了一套生長實時監(jiān)控系統(tǒng)軟件。

　　2 GaN生長工藝特點及參數(shù)對薄膜晶質(zhì)影響　

　　本文在六方GaN或在GaN外延層上生長AlN的工藝流程如圖１所示。
　　從圖中可以看出，每一個階段都對時間 (t)、微波輸入功率（PW）、襯底溫度（TS）、各路氣體的流量（氫氣（JH）、氮氣（JN）、三甲基鎵（JG）和反應(yīng)室的壓強（P0）有一定的要求。

　　并且狀態(tài)之間的切換往往要同時涉及多個參量，因此手工操作時各參量之間的時間滯后現(xiàn)象在所難免，也難以確保實驗條件的重復性，從而大大影響了實驗結(jié)果的可靠性和準確性。下面具體分析一下圖1所示生長過程中對GaN單晶薄膜晶體質(zhì)量發(fā)生影響的主要因素。

　　（1）時間

　　時間參數(shù)主要是指在實驗過程中某個步驟所需的時間量。如在氮化過程中要控制氮化時間，這對初始成核以及控制生長模式是很重要的[1]。此外，合適的緩沖層生長時間（決定了緩沖層的厚度）則會大大地提高GaN外延薄膜的光電和結(jié)構(gòu)特性。而外延層生長時間（決定了外延層的厚度）如果太短，GaN薄膜當中會存在大量的結(jié)構(gòu)缺陷 ；時間太長則會由于襯底材料和GaN材料之間的熱失配和晶格失配導致GaN薄膜結(jié)晶質(zhì)量的下降。

　　（2）溫度

　　在整個實驗過程中，對溫度的控制起著非常重要的作用。在生長過程中的每一步工藝都對溫度有著一定的要求，如襯底的清洗溫度一般限定在400℃左右，氮化一般是從470℃開始，生長緩沖層一般是在500℃進行。最為重要的是生長溫度，在GaAs襯底上生長立方GaN溫度一般控制在600℃左右。生長溫度過低或過高都會影響晶體質(zhì)量。

　　（3）氣體流量

　　就GaN生長工藝流程來說，氣流量的控制包括對H2 , N2和TMG三種氣體流量的控制。其中對N2和TMG流量的控制即V/III比的控制在實驗過程中尤為重要，對晶體質(zhì)量起著決定性的影響。此外實驗過程中摻入適量的氫氣也會對GaN生長產(chǎn)生重要的作用[2]。

　　（4）微波功率和真空度

　　在實驗過程中微波功率和真空度也有著重要的影響。因為不同的微波功率、不同的壓強會影響活性氮的含量[3,4]，從而直接影響晶體的質(zhì)量。

　　3 GaN生長工藝流程測控系統(tǒng)設(shè)計

　　3.1 相關(guān)實驗設(shè)備接口特性分析

　　流量控制與顯示：流量控制器（MFCs）電源用來給質(zhì)量流量控制器提供工作電源和流量設(shè)定信號，同時可以分次顯示各路氣體的流量。此接口提供了各路質(zhì)量流量控制器的流量設(shè)定信號和檢測輸出信號。

　　溫度控制與測量 ：實驗樣品的溫度控制和設(shè)定是通過溫控儀來實現(xiàn)的。溫控儀中加有通訊模塊，通過RS-232 接口與外部進行通訊。

　　氣壓測量 ：反應(yīng)室的真空度測量和顯示是通過真空計實現(xiàn)的，真空計中也有RS-232通訊模塊，可以實時檢測輸出反應(yīng)室的壓強輸出信號。

　　氣動閥 ：通過四路氣動閥來控制進入主反應(yīng)室參與反應(yīng)的三甲基金屬有機物（例如TMG）是否參與反應(yīng)，同樣在控制盒上預留了計算機接口。

　　3.2 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)組成

　　本系統(tǒng)主要由計算機、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和參數(shù)設(shè)定系統(tǒng)三部分組成，控制系統(tǒng)硬件電路結(jié)構(gòu)原理圖如圖2所示。

　　由于流量計輸出的信號為模擬信號，而計算機只能夠接受數(shù)字信號，所以我們在流量計和計算機之間接入一個A/D轉(zhuǎn)換器，A/D模塊采用了大連理工大學自動化系自行研制的DUT1000系列數(shù)據(jù)采集模塊，這套模塊一共有8路輸入，以87C51系列單片機為核心, 采用RS485輸出，輸入加有完善的保護電路，A/D分辨率為2000碼/V。同樣由于流量計的電路要求我們只能用模擬信號來控制流量的大小，所以在計算機輸出的數(shù)字信號與流量計之間增加了一個D / A轉(zhuǎn)換模塊。該模塊選用了PC-7462，12位電路獨立光電隔離D/A轉(zhuǎn)換板。PC-7462 是面向工業(yè)過程而設(shè)計的12位8路光電隔離獨立模擬量輸出接口板，符合PC總線標準（ISA），適合于所有PC機。本板采用光電隔離技術(shù)，使被控對象同計算機之間完全電氣隔離，可在惡劣環(huán)境下的工業(yè)現(xiàn)場工作。由于計算機主板上可供連接使用的串行口數(shù)目太少，不能滿足我們的要求，所以我們使用了MOXO卡，將原有的串口從一個擴展到四個。MOXO卡自帶安裝程序，使用時無需很多配置，使用方便。由于A/D模塊與主溫控儀使用的是RS485接口，所以在硬件系統(tǒng)中必須存在一個RS232-RS485的轉(zhuǎn)換模塊，在這里采用了DAC8520模塊，對氣動閥控制時，必須使用開關(guān)量對其進行控制，所以本文使用了ADAM4060模塊。

　　在硬件設(shè)計中，盡量使用已經(jīng)成型的模塊化的產(chǎn)品，減少了因硬件電路出現(xiàn)問題而產(chǎn)生的故障，保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定運行，而且模塊化的設(shè)計使整個硬件的安裝過程方便快捷。

　　3.3 系統(tǒng)程序設(shè)計

　　系統(tǒng)軟件基于WIN98操作系統(tǒng)，以VB6.0作為開發(fā)平臺。半導體薄膜的生長工藝流程具有其自身的特點：它的整個工藝過程可劃分為多個階段，包括：準備、清洗、氮化、升溫、緩沖層、生長等。每個階段都要設(shè)置生長溫度、氣體流量、氣動閥狀態(tài)以及本階段生長時間等幾個參數(shù)，但各個階段之間又有某個參數(shù)與前一個階段不同，這個參數(shù)就作為狀態(tài)切換的條件，這樣整個生長過程就能夠作為一個整體連續(xù)自動地進行，不需要人為干預，從而達到自動控制的目的。　　　　　　　　　　

　　本軟件采用模塊化的設(shè)計方法，軟件系統(tǒng)框圖如圖3所示。

　　3.4 系統(tǒng)使用效果與評價

　　使用本套系統(tǒng)在ECR-MOCVD上作了一個對比試驗，在藍寶石襯底上外延生長GaN薄膜。保持其他條件不變，只是改變生長時TMG的流量，下面是試驗后X射線衍射（θ-2θ）的測試結(jié)果（表1）。從表1中可以得知TMG的流量為0.25時，生長得到的薄膜在39.8°處出現(xiàn)很強的衍射峰，其半高寬為1.1°。當流量增大時強度減弱，同時半高寬變窄，說明GaN晶體質(zhì)量變差。另一個方面，這也說明了工藝流程精確控制的重要性。

　　本文采用上一章的最優(yōu)化工藝條件，在同一批藍寶石（001）襯底上連續(xù)兩次實驗的RHEED結(jié)果（圖4）。可見，采用本系統(tǒng)在生長出良好晶體的同時，也實現(xiàn)了工藝條件的完好重復性。

　　4 總結(jié)

　　監(jiān)控系統(tǒng)軟件經(jīng)試驗使用后表明 ：系統(tǒng)設(shè)計合理，能長時間穩(wěn)定正常運行，具有友好的人機界面，操作簡單，大大減輕了試驗人員的勞動強度，提高了實驗的準確性與科學性。同時系統(tǒng)是自主設(shè)計的，所以具有很大的靈活性，可以根據(jù)設(shè)備的改變以及工藝流程的變化對源程序進行相應(yīng)的修改，如果是引進國外的系統(tǒng)這是不可能做到的。總之這套監(jiān)控系統(tǒng)初步到達了設(shè)計前預定的目標，取得了良好的效果。