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更新時間：2007-05-28 來源：中華職工學習網

20世紀90年代初，在美國弗吉尼亞理工學院和弗吉尼亞州立大學掛出了一個“智能材料研究中心”的牌子．科學家們正在研究各種辦法，試圖使飛機上的關鍵結構具有自己的“神經系統”、“肌肉”和“大腦”，使它們能感覺到即將出現的故障，并及時向飛行員發出警報。他們設想的辦法是……

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神通廣大的液晶

更新時間：2007-05-28 來源：中華職工學習網

液晶問世較早。1888年，奧地利科學家F.•賴尼策爾就發現了這種奇特的物質�！�

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化學機械拋光中的硅片夾持技術

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

集成電路（IC）制造是電子信息產業的核心，是推動國民經濟和社會信息化發展最主要的高新技術之一。發達國家國民經濟總產值增長部分的65%與IC工業相關，而全球90%以上的IC都要采用硅片。IC的發展遵循“Moore定律”，每隔3年芯片的集成度翻兩番，特征尺寸縮小1……

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米CMOS器件中超淺結離子摻雜新技術

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

近幾年來，IC芯片設計、芯片制造、測試和封裝技術都取得了長足的進展，整個產業鏈的各個環節都在配套發展。“中國芯”與“外國芯”制造水平的差距正在縮短。盡管芯片特征尺寸0.25~0.18mm的CMOS 工藝仍是當前制備IC的主流技術，但0.13mm技術已開始進入生……

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重摻硅襯底材料中氧沉淀研究進展

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

器件性能的提高，需要器件工藝的改善，另外還要有基礎材料質量的保證。材料的發展更能促進器件發展的飛躍,而材料的性能又取決于其內部結構。半導體硅材料以豐富的資源、優質的特性、日臻完善的工藝以及廣泛的用途等綜合優勢而成為當代電子工業中應用最多的半導體材料。 ……

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半導體硅片金屬微觀污染機理研究進展

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

隨著ULSI技術的不斷向前發展，對半導體硅的表面性質要求也越來越嚴格。而且電路的集成度日益提高，單元圖形的尺寸日益微化，污染物對器件的影響也愈加突出，以至于潔凈表面的制備已成為制作64M和256Mbyte DRAM的關鍵技術[1,2]。此外有超過50％成品損失……

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對拋光片清洗技術的研究

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

目前在半導體工業生產中，普遍采用的清洗工藝是改進的RCA清洗技術，多年來，人們對RCA清洗技術的清洗效果進行了深入的研究，kern證明RCA工藝可在硅片的表面形成1～1.5nm的氧化硅鈍化膜[1]，okumura觀察到標準的RCA清洗對硅片表面有較嚴重的粗糙化……

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ULSI多層銅布線鉭阻擋層及其CMP拋光液的優化

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

由于鋁自身的性質，導致傳統的鋁布線工藝制作的器件經常會因鋁的電遷移而失效，隨著ULSI特征尺寸的進一步減小，布線層數增加、寬度也隨之變細，這個問題也變得更加突出。而銅的多層布線恰恰能避免這一問題的出現，因此在深亞微米工藝中（0.18μm及以下），銅將逐步代替鋁……

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微制造光刻工藝中光刻膠性能的比較

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

光刻加工工藝中為了圖形轉移，輻照必須作用在光刻膠上，通過改變光刻膠材料的性質，使得在完成光刻工藝后，光刻版圖形被復制在圓片的表面[1]。而加工前，如何選用光刻膠在很大程度上已經決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是最好的，但實際應用中由于加工類型、加工要求、加……

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硅片翹曲對光刻條寬均勻性的分析

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

在集成電路制造中，光刻質量的好壞是影響產品成品率的主要因素之一，條寬均勻性是衡量光刻質量的兩大指標之一。隨著集成電路特征尺寸的縮小，步進光刻機在生產中得到了普遍的應用，硅片的翹曲對條寬均勻性的影響不容忽視�！�

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GaN薄膜生長實時監控系統的實現

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

由于氮化鎵（GaN）材料在光電子及微電子領域有巨大的應用前景，GaN基材料成為近年來世界各國競相研究和開發的新一代寬帶隙半導體材料。但由于缺乏大尺寸的GaN基體材料，所以只能在其他襯底上進行異質外延生長。在各種生長技術中，金屬有機化學汽相沉積(MOCVD)已經……

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n型高阻硅單晶電阻率均勻性的控制

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

高阻n型〈111〉硅單晶被廣泛用在功率器件方面。近年來許多功率器件廠家為提高成品率，對硅單晶的電阻率徑向均勻性提出了更為嚴格的要求。普遍要求n型〈111〉Φ100mm硅單晶片的電阻率不均勻性小于15%，有的單位甚至要求小于10%。n〈111〉晶向硅單晶生長過程……

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半導體晶圓制造中的設備效率和設備能力

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

半導體工業極大依賴于半導體制造設備的投資，而且是同步增長的。隨著設備的硅片尺寸大直徑化、設備的高精度化、自動化，設備價格日益昂貴化，工藝線的設備總投資更是成倍地增長。對工藝線來說，在設備投資加大的同時，設備折舊的負擔也加大，設備折舊與維修占硅片加工總成本的最大……

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納米晶存儲特性的研究

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

在室溫下工作的Si納米晶MOSFET存儲器件有體積小、低能耗、高劑量、快速擦寫和可多次循環使用的特點，在未來的超大規模集成電路中有著重要的應用前景。這種存儲器件可在約3V的低壓下工作，Si劑量可達到1012/cm2以上，讀寫時間達到ns量級，循環擦寫次數可達1……

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鈷鎳與多晶鍺硅的固相反應和肖特基接觸特性

更新時間：2007-05-23 來源：中華職工學習網

近年來，多晶鍺硅(poly-Si1-xGex)及其器件的研究引起了較多關注。在集成電路某些應用中，它有可能是比多晶硅更好的選擇 [1-7]。高摻雜poly-Si1-xGex具有可變的功函數，用作亞微米MOS晶體管的柵極，能同時實現PMOS和NMOS表面溝道器件……

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