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更新時(shí)間：2007-05-23 來源：中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)

在室溫下工作的Si納米晶MOSFET存儲(chǔ)器件有體積小、低能耗、高劑量、快速擦寫和可多次循環(huán)使用的特點(diǎn)，在未來的超大規(guī)模集成電路中有著重要的應(yīng)用前景。這種存儲(chǔ)器件可在約3V的低壓下工作，Si劑量可達(dá)到1012/cm2以上，讀寫時(shí)間達(dá)到ns量級(jí)，循環(huán)擦寫次數(shù)可達(dá)1……

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鈷鎳與多晶鍺硅的固相反應(yīng)和肖特基接觸特性

更新時(shí)間：2007-05-23 來源：中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)

近年來，多晶鍺硅(poly-Si1-xGex)及其器件的研究引起了較多關(guān)注。在集成電路某些應(yīng)用中，它有可能是比多晶硅更好的選擇 [1-7]。高摻雜poly-Si1-xGex具有可變的功函數(shù)，用作亞微米MOS晶體管的柵極，能同時(shí)實(shí)現(xiàn)PMOS和NMOS表面溝道器件……

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Si/SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管的參數(shù)提取與特性模擬

更新時(shí)間：2007-05-23 來源：中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)

普通硅材料由于物理性質(zhì)的制約，在制造高頻大功率方面有很大困難，而Si/SiGe材料在這方面具有很大優(yōu)勢(shì)。Si/SiGe材料由于它們的晶格常數(shù)很接近，在硅襯底上外延生長(zhǎng)的Si1-xGex合金材料帶隙隨鍺組分增加而變窄。如果采用窄帶Si1-xGex作為晶體管基區(qū)，……

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半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

更新時(shí)間：2007-05-23 來源：中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)

1．什么是導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體？　　容易導(dǎo)電的物質(zhì)叫導(dǎo)體，如：金屬、石墨、人體、大地以及各種酸、堿、鹽的水溶液等都是導(dǎo)體。　　不容易導(dǎo)電的物質(zhì)叫做絕緣體，如：橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷、純水、油、空氣等都是絕緣體……

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鈷鎳與多晶鍺硅的固相反應(yīng)和肖特基接觸特性

更新時(shí)間：2007-05-23 來源：互聯(lián)網(wǎng)

采用離子束濺射淀積非晶鍺硅薄膜，通過熱擴(kuò)散進(jìn)行磷摻雜，制備弱n型的多晶鍺硅薄膜。用X射線衍射表征了在快速熱退火條件下，鈷和鎳與多晶鍺硅的固相反應(yīng)。利用室溫I-V法研究了鈷鎳與多晶鍺硅的接觸特性，發(fā)現(xiàn)能形成比較理想的肖特基接觸。擬合I-V曲線得到接觸參數(shù)，兩樣品……

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什么是金屬硅

更新時(shí)間：2007-05-23 來源：中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)

“金屬硅”（我國(guó)也稱工業(yè)硅）是本世紀(jì)六十年代中期出現(xiàn)的一個(gè)商品名稱。它的出現(xiàn)與半導(dǎo)體行業(yè)的興起有關(guān)。目前，國(guó)際通用作法是把商品硅分成金屬硅和半導(dǎo)體硅。金屬硅是由石英和焦炭在電熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年來，含Si量99.99%的也名……