第1章 半導體工業
1.1 一個工業的誕生
1.2 固態時代
1.3 集成電路
1.4 工藝和產品趨勢
1.5 特征圖形尺寸的減小
1.6 芯片和晶圓尺寸的增大
1.7 缺陷密度的減小
1.8 內部連線水平的提高
1.9 SIA的發展方向
1.10 芯片成本
1.11 半導體工業的發展
1.12 半導體工業的構成
1.13 生產階段
1.14 開發的十年（1951~1960）
1.15 工藝的十年（1961~1970）
1.16 產品的十年（1971~1980）
1.17 自動化的十年（1981~1990）
1.18 產品的紀元（1991~2000）
1.19 極小的紀元
1.20 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第2章 半導體材料和工藝化學品
2.1 原子結構
2.2 元素周期表
2.3 電傳導
2.4 絕緣體和電容器
2.5 本征半導體
2.6 摻雜半導體
2.7 摻雜半導體的電阻率
2.8 電子和空穴傳導
2.9 載流子遷移率
2.10 半導體產品材料
2.11 半導體化合物
2.12 鍺化硅
2.13 鐵電材料
2.14 工藝化學品
2.15 物質的狀態
2.16 等離子體
2.17 物質的性質
2.18 壓力和真空
2.19 酸，堿和溶劑
2.20 材料安全數據表
2.21 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第3章 晶圓制備
3.1 簡介
3.2 半導體硅制備
3.3 晶體材料
3.4 晶體生長
3.5 晶體和晶圓質量
3.6 晶體準備
3.7 切片
3.8 晶圓刻號
3.9 磨片
3.10 化學機械拋光（CMP）
3.11 背處理
3.12 雙面拋光
3.13 邊緣倒角和拋光
3.14 晶圓評估
3.15 氧化
3.16 包裝
3.17 晶圓外延
3.18 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第4章 芯片制造概述
4.1 晶圓生產的目標
4.2 晶圓術語
4.3 晶圓生產的基礎工藝
4.4 制造半導體器件和電路
4.5 芯片術語
4.6 晶圓測試
4.7 集成電路的封裝
4.8 小結
4.9 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第5章 污染控制
5.1 簡介
5.2 問題
5.3 污染源
5.4 潔凈室的建設
5.5 潔凈室的物質與供給
5.6 潔凈室的維護
5.7 晶片表面清洗
5.8 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第6章 工藝良品率
6.1 良品率測量點
6.2 累積晶圓生產良品率
6.3 晶圓生產良品率的制約因素
6.4 晶圓電測良品率要素
6.5 封裝和最終測試良品率
6.6 整體工藝良品率
6.7 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第7章 氧化
7.1 二氧化硅層的用途
7.2 熱氧化機制
7.3 熱氧化方法
7.4 水平爐管反應爐
7.5 垂直爐管反應爐
7.6 快速升溫反應爐
7.7 快速加熱工藝
7.8 高壓氧化
7.9 氧化工藝
7.10 陽極氧化
7.11 熱氮化
7.12 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第8章 基本光刻工藝流程—從表面準備到曝光
8.1 簡介
8.2 光刻蝕工藝概述
8.3 光刻10步法
8.4 基本的光刻膠化學
8.5 光刻膠的表現要素
8.6 正膠和負膠的比較
8.7 光刻膠的物理屬性
8.8 光刻工藝
8.9 表面準備
8.10 涂光刻膠
8.11 軟烘焙
8.12 對準和曝光
8.13 對準系統比較
8.14 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第9章 基本光刻工藝流程—從曝光到最終檢驗
9.1 顯影
9.2 硬烘焙
9.3 顯影檢驗
9.4 刻蝕
9.5 濕法刻蝕
9.6 干法刻蝕
9.7 光刻膠的去除
9.8 最終目檢
9.9 光刻版制作
9.10 小結
9.11 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第10章 高級光刻工藝
10.1 ULSI/VLSI集成電路圖形處理過程中存在的問題
10.2 光學系統分辨率控制
10.3 其他曝光問題
10.4 掩膜版薄膜
10.5 晶圓表面問題
10.6 防反射涂層
10.7 平整化
10.8 先進光刻膠工藝
10.9 化學機械研磨小結
10.10 改進刻蝕工藝
10.11 自對準結構
10.12 刻蝕輪廓控制
10.13 光學光刻的末日到來了嗎
10.14 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第11章 摻雜
11.1 結的定義
11.2 摻雜區的形成
11.3 摻雜區和結的擴散形成
11.4 擴散工藝的步驟
11.5 淀積
11.6 推進氧化
11.7 離子注入的概念
11.8 離子注入系統
11.9 離子注入區域的雜質濃度
11.10 離子注入層的評估
11.11 離子注入的應用
11.12 摻雜前景展望
11.13 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第12章 淀積
12.1 簡介
12.2 化學氣相淀積基礎
12.3 CVD的工藝步驟
12.4 CVD系統分類
12.5 常壓CVD系統
12.6 低壓化學氣相淀積
12.7 增強型等離子體
12.8 氣相外延
12.9 分子束外延
12.10 金屬有機物CVD
12.11 淀積膜
12.12 淀積的半導體膜
12.13 外延硅
12.14 多晶硅和非晶硅淀積
12.15 SOS和SOI
12.16 絕緣體和絕緣介質
12.17 導體
12.18 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第13章 金屬淀積
13.1 簡介
13.2 單一導體層金屬
13.3 多層金屬導體框架
13.4 導體
13.5 金屬薄膜的用途
13.6 淀積方法
13.7 真空泵
13.8 小結
13.9 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第14章 工藝和器件評估
14.1 簡介
14.2 晶圓的電性測量
14.3 層厚的測量
14.4 結深
14.5 關鍵尺寸和線寬測量
14.6 污染物和缺陷檢測
14.7 總體表面特征
14.8 污染認定
14.9 器件電學測量
14.10 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第15章 晶圓加工中的商務因素
15.1 制造和工廠經濟
15.2 晶圓制造的成本
15.3 設備
15.4 所有權成本
15.5 自動化
15.6 工廠層次的自動化
15.7 設備標準
15.8 統計制程控制
15.9 庫存控制
15.10 生產線組織
15.11 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第16章 半導體器件和集成電路的形成
16.1 半導體器件的生成
16.2 集成電路的形成
16.3 超導體
16.4 微電子機械系統
16.5 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第17章 集成電路的類型
17.1 簡介
17.2 電路基礎
17.3 集成電路的類型
17.4 晶圓的比例集成
17.5 下一代產品
17.6 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
第18章 封裝
18.1 簡介
18.2 芯片的特性
18.3 封裝功能和設計
18.4 封裝操作工藝的概述
18.5 封裝工藝
18.6 封裝工藝流程
18.7 封裝-裸芯片策略
18.8 封裝設計
18.9 封裝類型和技術小結
18.10 關鍵概念和術語
習題
參考文獻
術語表